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J-GLOBAL ID：200903058233385160

光・放射線電気変換半導体装置およびその応用

Inventor： 斉藤 豊 ,  佐藤 恵二 ,  長 照二 ,  近藤 真史 ,  小波蔵 純子
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994187595
Publication number (International publication number)：1995122776
Application date： Aug. 09, 1994
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高エネルギー領域の光・放射線電気変換半導体装置を得る。【構成】 外装ケース13002に実装されたPINダイオードの積層検出素子20001を第1層の検出器X1 とし、同様の構造の検出素子Y1 を互いに交差するように配置し、2次元の面分解能を有する検出器を構成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板に第2導電型不純物領域を有する半導体基板を積層することを特徴とする光・放射線電気変換半導体装置。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  G01T 1/24 ,  H01L 31/09

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭63-182870
  
• 特開平1-126584
  
• 特開昭59-063778
  
• 特開昭52-089083
  
• 特開昭53-066390
  
• 特開昭63-020874
  
• 特開平1-126583