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J-GLOBAL ID：200903058234770229

半導体素子製造方法

Inventor： 太田 啓之 ,  木村 義則 ,  宮地 護
Applicant, Patent owner： パイオニア株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997309705
Publication number (International publication number)：1999126758
Application date： Oct. 24, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】【課題】 量産が容易であり、電極との接触抵抗が小さい半導体素子を得るための製造方法を提供すること。【解決手段】 2族不純物元素を添加したGaN系半導体層を積層する工程と、前記GaN系半導体層を所定温度に加熱し、前記GaN系半導体層のエネルギー禁制帯幅を上回るエネルギーを有する電磁波を照射する工程と、電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

2族不純物元素を添加したGaN系半導体層を積層する工程と、前記GaN系半導体層を所定温度に加熱し、前記GaN系半導体層のエネルギー禁制帯幅を上回るエネルギーを有する電磁波を照射する工程と、電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

FI (4)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• p型化合物半導体の低抵抗化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-074645   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 窒化ガリウム系結晶の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-239748   Applicant：日立電線株式会社