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J-GLOBAL ID：200903058243832504

磁性体メモリ及びその駆動方法

Inventor： 乾 文洋
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002091977
Publication number (International publication number)：2002367366
Application date： Mar. 28, 2002
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 情報を高速に読み出し可能な磁性体メモリ及びその駆動方法を提供する。【解決手段】 複数の可変抵抗器Rがマトリックス状に配置されている。複数のスイッチTが複数の可変抵抗器Rにそれぞれ接続されている。ビット線BLがマトリクスの行毎に配置されている。可変抵抗器Rの一方の端子がビット線BLに接続され、他方の端子がスイッチTに接続されている。同一のビット線に接続されたうちのいずれか1つのスイッチTが常にオンされ、ビット線BLの電圧の変動が抑制される。可変抵抗器Rには所定の電圧が印加され、可変抵抗器Rを流れる電流によって可変抵抗器Rに書き込まれている情報が検出される。

Claim (excerpt)：

マトリックス状にメモリ素子として配置された複数の可変抵抗器と、前記マトリクスの行毎に配置され、同一の行に属する前記可変抵抗器の一方の端子にそれぞれ接続された複数のビット線と、前記ビット線に流れる電流によって前記可変抵抗器の電気抵抗値を検出する読出し回路と、前記メモリ素子とは別に前記ビット線に設けられた負荷素子を有することを特徴とする磁性体メモリ。

IPC (4)：

G11C 11/15 130 ,  G11C 11/15 150 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/15 130 ,  G11C 11/15 150 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (7)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083ZA28