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J-GLOBAL ID：200903058256484564
パワーデバイスチップの実装構造
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994160761
Publication number (International publication number)：1996008395
Application date： Jun. 21, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 現行の半導体モジュールの構成要素の変更を最小限にとどめながら、モジュールの熱抵抗を低減、高い配線接続信頼性、さらにはサイズのコンパクト化と配線インダクタンスの低減を目的とする。【構成】モジュール基板たる金属板103の表面に絶縁板104を有し、その絶縁板の表面にある電極たる金属膜105に対し、パワーデバイスチップ101の活性領域面側の表面にある電極115を、半田110などで直接接続することで配線信頼性が向上し、かつ、活性領域で発生する熱をパワーデバイスチップ自体を通さず直接モジュール側に伝えるのでモジュールの熱抵抗が低減する。
Claim (excerpt)：
金属板の一主面上に比較的熱抵抗が低く、かつ電気抵抗の高い絶縁板を有し、前記絶縁板の上に前記金属板とは絶縁された金属膜を1つあるいは複数有し、前記金属膜の上に絶縁膜を有し、前記それぞれの金属膜につき前記絶縁膜の所定の領域に、前記金属膜が露出する2種類のコンタクト窓を有し、前記コンタクト窓のうち、第1のコンタクト窓では前記金属膜とパワーデバイスチップの電極が接続され、第2のコンタクト窓では前記金属膜と金属端子が接続され、前記パワーデバイスチップは、少なくとも一主面の大半の部分を活性領域とし、前記活性領域のある主面に、機能の異なる複数の電極を有し、前記活性領域上のそれぞれの電極は、前記第1のコンタクト窓にて対応する前記金属膜と接続されたことを特徴とするパワーデバイスチップの実装構造。
IPC (2)：
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