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J-GLOBAL ID：200903058260279240

X線マスクの製造方法

Inventor： 近藤 和昭
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992183752
Publication number (International publication number)：1994029194
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 X線マスクの製造で、X線吸収体パターンを形成する際のエッチングマスクにネガレジストを用いた時、露光時間を大幅に短縮してプロセスマージンを向上させることができる方法を提供する。【構成】 基板1上に形成されたX線透過膜2表面のブロッカー部分以外のセル部分の領域をアモルファス状態にし、次いで、全面にTaを成膜してこの領域上に(002)面に配向したβ-Ta膜4aを形成し、又一方膜2表面のアモルファス状態にされていない領域上にそれ以外のTa膜4bを形成した後、膜4aをドライエッチングにより除去して膜2が露出された開口部5を形成して膜4bを残し全面にX線吸収体部材6a、6bを成膜し、次いで、部材6aをエッチングしてX線吸収体パターン6cを形成する。

Claim (excerpt)：

基板(1)上にX線透過膜(2)を形成する工程と、次いで、該X線透過膜(2)表面のブロッカー部分以外のセル部分の領域をアモルファス状態にする工程と、次いで、全面にTaを成膜することにより、該X線透過膜(2)表面のアモルファス状態にされたセル部分の領域上に(002)面に配向したβ-Ta膜(4a)を形成するとともに、該X線透過膜(2)表面のアモルファス状態にされていないブロッカー部分の領域上に(002)面に配向したβ-Ta以外のTa膜(4b)を形成する工程と、次いで、セル部分の領域上に形成された該(002)面に配向したβ-Ta膜(4a)をドライエッチングにより除去して該X線透過膜(2)が露出された開口部(5)を形成するとともに、ブロッカー部分の領域上に形成された該(002)面に配向したβ-Ta以外のTa膜(4b)を残す工程と、次いで、全面にX線吸収体部材(6a、6b)を成膜する工程と、次いで、セル部分に形成された該X線吸収体部材(6a)をエッチングしてX線吸収体パターン(6c)を形成する工程を含むことを特徴とするX線マスクの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16