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J-GLOBAL ID：200903058260711982

半導体製造装置

Inventor： 河村 光一郎
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994168992
Publication number (International publication number)：1996017805
Application date： Jun. 28, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 フォトレジストを用いたエッチバック法によってシリコン酸化膜を平坦化するとき、エッチバック中のフォトレジストとシリコン酸化膜とのエッチング選択比を常に1に保つ。【構成】 電極3、4の表面を樹脂膜8で被覆し、検知器10で検知された処理室11内のCO又はCO2 の発光スペクトルの増大に見合った分だけ、制御器12により高周波電源5の出力を増加させる。すると、樹脂膜8から放出された炭素がシリコン酸化膜の反応生成物である酸素や酸化物と反応してCO又はCO2となる。この結果、シリコン酸化膜から供給される酸素及び酸化物がフォトレジストと反応することを防止でき、フォトレジストのエッチング速度が増加しない。

Claim (excerpt)：

第1の高周波電源に接続された基板載置用電極及びこれと平行に設置された対向電極を処理室内に有し、上記基板載置用電極と上記対向電極との間に生成された反応性ガスプラズマによって上記基板載置用電極上に載置された基板をドライエッチングする半導体製造装置において、上記基板載置用電極の近傍に配置されており、且つ、少なくとも炭素を含有する膜で覆われた互いに対向する一対の電極と、上記一対の電極間に高周波電圧を印加する第2の高周波電源と、上記処理室内の炭素系ガスの発光スペクトルを検出する発光スペクトル検出器と、上記発光スペクトル検出器のデータを基に上記第2の高周波電源のスイッチを開閉するスイッチング手段とを具備することを特徴とする半導体製造装置。

FI (3)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/302 E