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J-GLOBAL ID:200903058261141640

集積化薄膜太陽電池とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 柳野 隆生
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995148847
Publication number (International publication number):1997008337
Application date: Jun. 15, 1995
Publication date: Jan. 10, 1997
Summary:
【要約】【目的】レーザースクライブ後の洗浄処理を行いながら、半導体層の表面状態を良好に保つことでFF値を向上させることのできる構造を有する集積化薄膜太陽電池と、その製造方法を提供すること。【構成】基板上に複数の領域に分割して設けられた第一電極層上に、二つの第一電極層にわたって、一方の第一電極層上に開口した接続用開口部を設けた複数の半導体層が設けられ、半導体層上の接続用開口部を除く領域には導電体層が設けられるとともに、この導電体層上に、接続用開口部を介して一方の第一電極層と電気的に接続した状態で第二電極層が設けられることにより、第二電極層と他方の第一電極層とによって挟まれる領域からなる単位素子が、複数個直列に接続された集積化薄膜太陽電池とすること。
Claim (excerpt):
基板上に複数の領域に分割して設けられた第一電極層上に、二つの第一電極層にわたって、一方の第一電極層上に開口した接続用開口部を設けた複数の半導体層が設けられ、半導体層上の接続用開口部を除く領域には導電体層が設けられるとともに、この導電体層上に、接続用開口部を介して一方の第一電極層と電気的に接続した状態で第二電極層が設けられることにより、第二電極層と他方の第一電極層とによって挟まれる領域からなる単位素子が、複数個直列に接続された集積化薄膜太陽電池。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 薄膜太陽電池およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-251745   Applicant:富士電機株式会社
  • 特開昭61-210683
  • 特開平2-237081
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