埋めこみグリッド太陽電池の金属接点の堆積方法及び当該方法により得られる太陽電池

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：杉村興作
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002520312
Publication number (International publication number)：2004507093
Application date： Aug. 14, 2001
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

ドープした半導体材料の本体を有する埋め込みグリッド太陽電池の1つ以上の金属接点の金属化方法であって、これら電気接点を、それ自体既知の添加剤の特定の組合わせを含む通常の電解バスを有する電解金属堆積処理により、半導体材料中への1つ以上の溝のパターンで設けた導電材料により設ける金属化方法により埋め込みグリッド太陽電池を製造する。

Claim (excerpt)：

光入射面及び後面を形成する互いに対向する2個の主要面であって、これら主要面の双方に1個以上の電気接点を設けた2個の主要面と、これら対向する主要面の間の1個以上のエッジとを有するドープした半導体材料の本体を具え、前記光入射面の電気接点を、この光入射面における半導体材料に形成した1個以上の溝のパターンに導電材料を配置することにより形成した埋め込みグリッド太陽電池の1個以上の接点を金属化する方法において、当該方法は、 a)半導体本体にp/n接合を設け、光を透過し且つ無電解メッキに対して触媒性のない電気的絶縁層を前記光入射面と随意的に他の面とに設ける工程と、 b)1個以上のエッジ上に露出した表面を設ける工程と、 c)光入射面から絶縁層を経て半導体本体に達する深さが20〜50μmの、また、光入射面のレベルで幅が10〜30μmの1個以上の溝を設ける工程と、 d)前記工程c)において得た溝に露出する材料をドーピングし、これら溝内の面の下方の材料にp-n接合を再形成する工程と、 e)無電解メッキとその後の焼結とにより前記溝内の前記露出した半導体材料上にシード層を被着する工程と、 f)前記工程d)において得たシード層の頂面上に無電解メッキにより導電基層を被着する工程と、 g)通常の電解バスであって更にレべリング添加剤及び抑制添加剤を含む電解バスを用いほぼ一定のセル電圧で行う電解メッキにより、前記溝を導電接点形成材料で充填する工程とを有することを特徴とする埋め込みグリッド太陽電池の1個以上の接点を金属化する方法。

IPC (1)：

H01L31/04

FI (1)：

H01L31/04 H

F-Term (11)：

5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051CB20 , 5F051CB27 , 5F051EA16 , 5F051FA06 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051FA18 , 5F051FA30 , 5F051GA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特表平7-504785
埋め込み接点ソーラセルのメタライゼーション
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-515350 Applicant：ユニサーチリミテッド
特表平7-504785

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