窒化ケイ素焼結体およびそれからなるスパッタターゲット

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999117553
Publication number (International publication number)：2000313670
Application date： Apr. 26, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】放電加工性に優れ、スパッタターゲットの洗浄および作業能率の点で効果が大きい緻密質であるとともに、スパッタ時の熱応力割れの発生を著しく軽減させうる窒化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】マグネシウム(Mg)またはイットリウム(Y)を酸化マグネシウム(MgO)または酸化イットリウム(Y2O3)換算で、その合計量が0.3〜40mol%、IVa族の窒化物を50〜90mol%添加し、その焼結体の常温における熱伝導率が40W/(m・K)以上、常温における3点曲げ強度が600MPa以上、電気抵抗率が1×10-2Ω・cm以下、真密度を100%としたときの相対密度が96%以上である窒化ケイ素焼結体。

Claim (excerpt)：

マグネシウム(Mg)またはイットリウム(Y)を酸化マグネシウム(MgO)または酸化イットリウム(Y2O3)換算で、その合計量が0.3〜40mol%、IVa族の窒化物を50〜90mol%添加し、その焼結体の常温における熱伝導率が40W/(m・K)以上、常温における3点曲げ強度が600MPa以上、電気抵抗率が1×10-2Ω・cm以下、真密度を100%としたときの相対密度が96%以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。

IPC (3)：

C04B 35/58 101 , C04B 35/58 , C23C 14/34

FI (3)：

C04B 35/58 101 D , C04B 35/58 101 G , C23C 14/34 A

F-Term (26)：

4G001BA06 , 4G001BA09 , 4G001BA32 , 4G001BA37 , 4G001BA38 , 4G001BA71 , 4G001BB06 , 4G001BB09 , 4G001BB32 , 4G001BB37 , 4G001BB38 , 4G001BB71 , 4G001BC13 , 4G001BC42 , 4G001BD03 , 4G001BD14 , 4G001BD22 , 4G001BD36 , 4K029BA58 , 4K029BA60 , 4K029BC10 , 4K029BD04 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

薄膜磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042442 Applicant：旭硝子株式会社
セラミックス材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042444 Applicant：旭硝子株式会社
特開平3-248861

Show all

Return to Previous Page