Pat

J-GLOBAL ID：200903058285011900

半導体記憶装置およびその動作方法

Inventor： 内田 英次
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991293103
Publication number (International publication number)：1993136429
Application date： Nov. 08, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、不揮発性メモリを有する半導体記憶装置の一つであるフラッシュEEPROMのメモリセルに関するもので、その書き込み、読み出しを1つのトランジスタで行っているために、書き込み時にチャネルホットキャリアによるトランジスタ特性が劣化して読み出しが困難になるという問題点を解決することを目的とするものである。【構成】 前記目的のために本発明は、前記メモリセルにおけるソースとドレインとの間のチャネルとして、しきい値電圧の異る2つ以上のチャネル領域12を具えさせるようにしたものであり、書き込み、読み出しに当っては、しきい値電圧の高いチャネル領域と低いチャネル領域とを使いわけて行うようにした。

Claim (excerpt)：

MOS型構造の不揮発性メモリセルを有する半導体記憶装置に於て、そのメモリセルにおけるソースとドレインとの間に、しきい値電圧の異る2つ以上のチャネル領域を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D