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J-GLOBAL ID：200903058285363571

気相成長方法

Inventor： 池田 英治 ,  荒巻 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱共石
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991349399
Publication number (International publication number)：1993160048
Application date： Dec. 09, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【構成】 気相成長装置の反応管を成長時の温度以上に昇温し、所定時間保持した後、降温して該反応管内に付着した反応析出物を気化し、除去するベ-キング工程において、該反応管内に発熱用カ-ボン製治具を設置してベ-キングする。【効果】 気相成長において反応管内壁から剥離した反応析出物に起因するエピタキシャル薄膜の表面欠陥を低減することができる。

Claim (excerpt)：

気相成長装置の反応管を成長時の温度以上に昇温し、所定時間保持して該反応管内に付着した反応析出物を気化し、除去するベーキング工程において、該反応管内に発熱用カ-ボン製治具を設置してベ-キングすることを特徴とする気相成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-004609
  
• 特開昭60-196932