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J-GLOBAL ID：200903058289292083

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 野口 充宏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000295268
Publication number (International publication number)：2001167592
Application date： Sep. 27, 2000
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 データ書き込み速度を向上させると共に、データ保持特性の悪化を防止する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置において、第1のデータ転送線1と複数のデータ選択線6の交点にそれぞれ設けた第1のメモリセルユニット3(a11,a12)を有する。第2のデータ転送線2と複数のデータ選択線6の交点にそれぞれ設けた第2のメモリセルユニット3(a21,a22)を有する。データ転送線1の一端に接続された書き込みデータラッチ4を有する。データ転送線1の他端とデータ転送線2の一端との間に挿入されたデータ転送線スイッチ5とを備えデータ書き込み時においてスイッチ5を遮断状態しメモリセルユニットa11,a12を選択するための第1のデータ選択線6の1つとメモリセルユニットa21,a22を選択するための第2のデータ選択線6の1つとを同時に選択する。

Claim (excerpt)：

第1のデータ転送線と、前記第1のデータ転送線に接続されたデータの再書き込み可能な不揮発性半導体メモリからなる複数の第1のメモリセルユニットと、前記第1のメモリセルユニットにそれぞれ接続された第1のデータ選択線と、第2のデータ転送線と、前記第2のデータ転送線に接続されたデータの再書き込み可能な不揮発性半導体メモリからなる複数の第2のメモリセルユニットと、前記第2のメモリセルユニットにそれぞれ接続された第2のデータ選択線と、前記第1のデータ転送線に接続されたデータ保持手段と、前記第1のデータ転送線及び前記第2のデータ転送線の間に挿入されたスイッチング素子とを具備し、プログラムに際し、前記複数の第1のメモリセルユニットに接続された第1のデータ選択線の1つと前記複数の第2のメモリセルユニットに接続された第2のデータ選択線の1つとが前記スイッチング素子の遮断状態時に同時に選択されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/02 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5)：

G11C 17/00 633 A ,  G11C 17/00 611 Z ,  G11C 17/00 634 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371