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J-GLOBAL ID：200903058301119368

不揮発性メモリ素子及びそれを備えるメモリアレイ

Inventor： 李 明 宰 ,  柳 寅 ▲けい▼ ,  李 殷 洪 ,  金 鍾 完 ,  金 東 徹 ,  安 承 彦
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (6)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007052433
Publication number (International publication number)：2007235142
Application date： Mar. 02, 2007
Publication date： Sep. 13, 2007
Summary：

【課題】自己存在ダイオード特性を有する不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】下部電極21と、下部電極21上に形成された第1型半導体酸化層22と、第1型半導体酸化層22上に形成された第2型半導体酸化層23と、第2型半導体酸化層23上に形成された上部電極24と、を備える不揮発性メモリ素子及びそれを備える不揮発性メモリアレイである。【選択図】図2A

Claim (excerpt)：

不揮発性メモリ素子において、 下部電極と、 前記下部電極上に形成された第1型半導体酸化層と、 前記第1型半導体酸化層上に形成された第2型半導体酸化層と、 前記第2型半導体酸化層上に形成された上部電極と、 を備えることを特徴とする不揮発性メモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (6)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA60 ,  5F083LA02