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J-GLOBAL ID：200903058312234002
チタン酸ジルコン酸鉛および酸化ルテニウム薄膜の反応性イオンエッチング方法及びそれを用いて製造される半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994128762
Publication number (International publication number)：1995050285
Application date： Jun. 10, 1994
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 チタン酸ジルコン酸鉛および酸化ルテニウム薄膜の両方を効率よくエッチングできる反応性イオンエッチングの方法及びそれを用いた半導体装置を提供する。【構成】 エッチングガスとしてCHCl2CF3またはCHClFCF3を用いる。エッチングガスにO2を混合してもよい。これらのエッチングガスとラジオ波によるグロー放電を用いて、チタン酸ジルコン酸鉛および酸化ルテニウム薄膜をエッチングする。
Claim (excerpt)：
RuO2およびチタン酸ジルコン酸鉛からなる群から選択される少なくとも1種を含む材料を反応性イオンエッチングする方法であって、該材料を、CHCl2CF3およびCHClFCF3からなる群から選択される少なくとも1種を含むチャンバに入れる工程と、該チャンバ中にグロー放電を発生させて、該材料をエッチングする工程と、を包含する方法。
Patent cited by the Patent：
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