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J-GLOBAL ID：200903058316340850

フエイスダウンボンデイング方法

Inventor： 桑原 治
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991326835
Publication number (International publication number)：1993144816
Application date： Nov. 15, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体チップ200側のハンダバンプ220の高さが小さいときであっても接続した配線基板100と半導体チップ200との隙間の間隔aを大きくさせて、その接続部のフラックス洗浄が容易で、かつ、その後の隙間の封止が容易なフェイスダウンボンディング方法を提供する。【構成】 基板11上に接着剤30を介して配設された導体12の接続用電極部15を、同導体12上に形成されたソルダーレジストの被覆層14より高く突出した状態に形成して配線基板10を作る。そして、その接続用電極部15に、半導体チップ20の下方に突出して形成されたバンプ22を熱溶着させている。

Claim (excerpt)：

基板上に導体が配設され、該導体上に同導体の接続用電極部を残してソルダーレジストの被膜層が形成されてなる配線基板の前記接続用電極部を前記ソルダーレジストの被膜層より高く突出させて形成し、該接続用電極部の上端部に、半導体チップの下方に突出して形成されたバンプを熱溶着させることを特徴とするフェイスダウンボンディング方法。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-188135
  
• 特開昭63-175445