有機極性溶媒を含有するフォトレジスト組成物中の混入金属イオンをイオン交換により低減する方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：江崎光史 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998527310
Publication number (International publication number)：2001506375
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： May. 15, 2001
Summary：

【要約】本発明は、洗浄したカチオン交換樹脂およびアニオン交換樹脂を用いて非常に低レベルの混入金属しか含有しないフォトレジスト組成物を製造する方法において、フォトレジスト組成物が極性溶媒を含有する上記方法を提供する。このようなフォトレジスト組成物を使用して半導体デバイスを製造する方法も提供される。

Claim (excerpt)：

フォトレジストを製造する方法において、a)カチオン交換樹脂を水で洗浄し、上記カチオン交換樹脂を鉱酸溶液で洗浄し、次いで上記カチオン交換樹脂を再び水で洗浄し、それによってカチオン交換樹脂中のナトリウムおよび鉄イオンのレベルを、100PPB未満に低減すること;b)アニオン交換樹脂を水で洗浄し、上記アニオン交換樹脂を鉱酸溶液で洗浄し、次いで上記アニオン交換樹脂を再び水で洗浄し、上記アニオン交換樹脂を水酸化アンモニウムで洗浄し、次いで再び水で洗浄し、それによってナトリウムおよび鉄イオン全体を、100PPB未満に低減すること;c)感光剤および膜形成性樹脂をフォトレジスト溶媒中に溶解し、そしてそれによってフォトレジスト組成物を調製すること;d)段階c)のフォトレジスト組成物に、有機極性溶媒を含有する溶媒を添加すること;e)段階d)のフォトレジスト組成物を段階a)のカチオン交換樹脂に流し、次いで段階d)の上記フォトレジスト組成物を段階b)のアニオン交換樹脂に流すこと;f)有機極性溶媒を含有する溶媒を取り除き、そしてそれによってそれぞれ100PPB未満のナトリウムおよび鉄イオンのレベルを有するフォトレジスト組成物を調製すること;を包含する上記方法。

IPC (3)：

G03F 7/032 , G03F 7/38 501 , C08L 61/06

FI (3)：

G03F 7/032 , G03F 7/38 501 , C08L 61/06

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