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J-GLOBAL ID：200903058328559386
半導体用パッケージ及び該パッケージを用いた半導体モジュール
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998357310
Publication number (International publication number)：1999345922
Application date： Dec. 16, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：
【要約】【課題】 放熱性に優れ、搭載時の半導体素子の割れを防止できる、安価な半導体用パッケージ、及びこれを用いた半導体モジュールを提供する。【解決手段】 半導体用パッケージは、半導体素子を搭載する基板として、気相合成で形成したダイヤモンド自立板からなる気相合成ダイヤモンド基板22か、又は気相合成ダイヤモンド層を有する基材を備え、該基板22又は基材に高熱伝導性の金属部材21を接合してある。金属部材21には、気相合成ダイヤモンド基板22又は前記基材の周囲に盛り上がり部26を設けることにより、マイクロ波やミリ波の漏洩を防止できる。この半導体用パッケージの半導体素子搭載部25に、MMIC等の高出力半導体素子を搭載して半導体モジュールとする。
Claim (excerpt)：
半導体素子を搭載する気相合成ダイヤモンド基板と、該気相合成ダイヤモンド基板の半導体素子を搭載する面と反対側の面で該気相合成ダイヤモンド基板に接合した高熱伝導性の金属部材とを備え、該金属部材が気相合成ダイヤモンド基板の周囲に該気相合成ダイヤモンド基板の表面に達する盛り上がり部を有することを特徴とする半導体用パッケージ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 23/36 Z
, H01L 23/36 M
