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J-GLOBAL ID：200903058330507393

半導体微粒子ペースト、半導体膜およびその製造方法と光電変換素子

Inventor： 岩淵 喜悦 ,  内田 聡 ,  正木 成彦 ,  柏木 由行 ,  冨羽 美帆
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001103313
Publication number (International publication number)：2002298646
Application date： Apr. 02, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】均一な膜質の半導体膜を量産できる半導体微粒子ペースト、それを用いて形成された半導体膜およびその製造方法と、光電変換素子を提供する。【解決手段】水を主成分とする溶媒と、半導体微粒子と、平均分子量が20,000を超えるポリエチレングリコール、好適には平均分子量が500,000〜4,000,000の範囲にあるポリエチレングリコールとを有する半導体微粒子ペースト、それを用いて形成された半導体膜およびその製造方法と、光電変換素子。

Claim (excerpt)：

水を主成分とする溶媒と、半導体微粒子と、平均分子量が20,000を超えるポリエチレングリコールとを有する半導体微粒子ペースト。

IPC (4)：

H01B 1/20 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (4)：

H01B 1/20 A ,  H01M 14/00 P ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/04 Z

F-Term (25)：

4M118AA01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA01 ,  4M118CA15 ,  4M118CB20 ,  5F051AA14 ,  5F051BA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5G301DA23 ,  5G301DA28 ,  5G301DD01 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB04 ,  5H032BB05 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17 ,  5H032HH00 ,  5H032HH02