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J-GLOBAL ID：200903058331789546

ハーフトーン位相シフトマスクの構造及びその製造方法

Inventor： ヒョン・ゾ・ヤン ,  ビョン・チャン・キム
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996339123
Publication number (International publication number)：1997281690
Application date： Dec. 05, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、位相シフトマスクに関するものであって、正確なパターンを形成できるハーフトーン位相シフトマスク構造とその製造方法を開示する。【解決手段】 基板の複数個のキーパターン等にの間には光を遮断する特性を有する第1遮光部を形成させ、複数個のセルパターンを形成させる領域には光を一部透過させる特性を有する第2遮光部を形成する。

Claim (excerpt)：

基板の一領域で複数のキーパターンを形成させる領域のキーパターン間に設けた光を遮断する特性を有する第1遮光部と、上記基板の他の領域で、複数個のセルパターンを形成させる領域に光を一部透過させる特性を有する第2遮光部を形成させたことを特徴とするハーフトーン位相シフトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528