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J-GLOBAL ID：200903058341215505

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 江間 泰示
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992222538
Publication number (International publication number)：1994069201
Application date： Aug. 21, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法に関し、寄生容量の増加を招くことなく、また、エッチング制御の困難さを伴うことなく配線の密な部分と疎な部分とに形成される絶縁膜の高低差をなくして平坦化された多層配線を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 配線3の厚さがdであり、配線3の最小幅と配線相互間の最小間隔とがfである配線パターンと、配線パターンの配線間隔が2d+2fを越える領域と最外周配線パターンの外側の領域とに、配線パターンからの距離がおゝむねd+f/2となるように形成され、幅が少なくともf以上であり、厚さがおゝむねdに等しい第1絶縁膜パターン51と、第1絶縁膜パターン51と配線パターンとを覆い、両パターン間の凹部を埋め込む第2絶縁膜15とをもって構成される。

Claim (excerpt)：

配線(3)の厚さがdであり、配線(3)の最小幅がfであり、配線相互間の最小間隔がfである配線パターンと、該配線パターンの配線間隔が2d+2fを越える領域と最外周配線パターンの外側の領域とに、該配線パターンからの距離がおゝむねd+f/2となるように形成され、幅が少なくともf以上であり、厚さがおゝむねdに等しい第1絶縁膜パターン(51)と、該第1絶縁膜パターン(51)と前記配線パターンとを覆い、両パターン間の凹部を埋め込む第2絶縁膜(15)とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/302