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J-GLOBAL ID：200903058345877090

半導体結晶成長方法

Inventor：
角田 篤勇

About 角田 篤勇


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997200466
Publication number (International publication number)：1999045857
Application date： Jul. 25, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 GaAs層またはGaInP層上にMBE法によりGaAs、AlGaAs、GaInP、AlGaInPまたはAlInP結晶を成長させる前に、良好な結晶成長面を得る。【解決手段】 GaAs層10またはGaInP層9を、表面から厚み方向に100オングストローム以上エッチング除去する。また、GaAs層10の表面にAsビームまたはPビームを照射しながら基板温度620°C以上700°C以下で5分以上保持する。GaInP層9の表面にAsビームまたはPビームを照射しながら基板温度500°C以上550°C以下で5分以上保持する。表面が一度大気に曝されて変成層、酸化膜およびコンタミネイション等が生じていても、それらが除去される。
Claim (excerpt)：
化合物半導体層からなる発光部上に設けられているGaAs層またはGaInP層上に、Molecular Beam Epitaxy法によりGaAs、AlGaAs、GaInP、AlGaInPまたはAlInPからなる結晶を成長する方法であって、該GaAs層または該GaInP層を表面から厚み方向に100オングストローム以上エッチング除去する工程と、該GaAs層または該GaInP層のエッチング除去後の表面の上に、GaAs、AlGaAs、GaInP、AlGaInPまたはAlInPからなる結晶を成長させる工程とを含む半導体結晶成長方法。
IPC (3)：
H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3)：
H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 B ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開昭58-125819
  • 特開昭61-225817
  • AlGaAs膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-308111   Applicant：日本電気株式会社

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