Pat
J-GLOBAL ID：200903058351305731
位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクブランクの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
市之瀬 宮夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992269733
Publication number (International publication number)：1994095358
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 基板上に形成された膜の密着性が良好で、かつ生産性が高く、さらにKrFエキシマレーザ等の短波長光を光源とする露光装置に使用可能な位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクブランクの製造方法を提供する。【構成】 透明基板1上にシリコンの窒化物又は炭化物からなるエッチングストッパー層2、シリコンの酸化物からなる位相シフト層3、主にシリコンからなる遮光層4およびシリコンの窒化物又は炭化物からなる反射防止層5を順に設け、位相シフト層3および遮光層4をそれぞれパターン化3′,4′′してなる位相シフトマスク、及び前記パターン化の前の層を設けた位相シフトマスクブランク、並びに透明基板1に上記各層の薄膜をスパッタリング法等により同一チャンバ内で連続的に形成する位相シフトマスクブランクの製造方法である。
Claim (excerpt)：
透明基板上に、シリコンの窒化物又は炭化物からなるエッチングストッパー層、シリコンの酸化物からなる位相シフト層および主にシリコンからなる遮光層を順に設け、前記位相シフト層および遮光層をそれぞれパターン化してなることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
