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J-GLOBAL ID：200903058354475620

半導体発光素子

Inventor： 日野 智公 ,  谷口 理 ,  木下 優子 ,  奥山 浩之 ,  中野 一志 ,  岡本 桜子 ,  石橋 晃
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997045673
Publication number (International publication number)：1997293937
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 通電時の動作電圧の増加または活性層の劣化を防止し、長寿命のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 活性層7とp型ZnSe/ZnTeMQW層13との間の部分、例えばp型ZnSSeキャップ層10とp型ZnSeコンタクト層12との界面にII-VI族化合物半導体からなる電子阻止層、例えばp型Zn1-x Mgx Se電子阻止層11を挿入する。あるいは、活性層7とp型ZnMgSSeクラッド層9との間の部分またはp型ZnMgSSeクラッド層9中にZn1-x Mgx Sy Se1-y 電子阻止層を挿入し、活性層7とn型ZnMgSSeクラッド層との間の部分またはn型ZnMgSSeクラッド層中にZn1-x Mgx Sy Se1-y 正孔阻止層を挿入する。

Claim (excerpt)：

活性層をn型クラッド層とp型クラッド層とによりはさんだ構造を有するとともに、p側電極コンタクト部に多重量子井戸層を有し、上記活性層、上記n型クラッド層、上記p型クラッド層および上記多重量子井戸層は、Zn、Mg、Cd、HgおよびBeからなる群より選ばれた少なくとも一種のII族元素とSe、SおよびTeからなる群より選ばれた少なくとも一種のVI族元素とにより構成されたII-VI族化合物半導体からなる半導体発光素子において、上記活性層と上記多重量子井戸層との間に上記II-VI族化合物半導体からなる電子阻止層が少なくとも一層挿入されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 D