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J-GLOBAL ID：200903058357066470

炭化ケイ素層のデュアル周波数プラズマ励起化学気相成長

Inventor： スリニヴァス ディ ネマニ ,  リー-チャン シャ ,  エリー ヤー
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001277088
Publication number (International publication number)：2002198317
Application date： Sep. 12, 2001
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 集積回路の製造処理において利用される炭化ケイ素層の形成方法を開示する。【解決手段】 ケイ素ソース、炭素ソース、不活性ガスを含むガス混合物を電界の存在下で反応させることにより炭化ケイ素層を形成する。電界は混合周波数高周波(RF)電力を用いて発生される。炭化ケイ素層は集積回路の製造処理に適合する。1つの集積回路の製造処理では、集積回路構造、例えばダマシン構造等の製造の為に炭化ケイ素層をハードマスクとして使用する。別の集積回路の製造処理では、上記炭化ケイ素層がDUVリソグラフィ用に反射防止コーティング(ARC)として使用される。

Claim (excerpt)：

層の堆積方法であって、基板を堆積チャンバに配置するステップと、ケイ素ソースと炭素ソースと不活性ガスとを有するガス混合物を、堆積チャンバに供給するステップと、混合周波数の高周波(RF)電力を用いて発生した電界の存在下で、ガス混合物を反応させて、炭化ケイ素(SiC)層を基板上に形成するステップとを有する方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/30 574

F-Term (56)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ22 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033WW09 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045DA62 ,  5F045EE12 ,  5F045EH19 ,  5F045GB16 ,  5F045HA13 ,  5F046PA11