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J-GLOBAL ID：200903058365669930

磁気抵抗効果素子

Inventor： 榊間 博 ,  里見 三男 ,  入江 庸介
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993170081
Publication number (International publication number)：1995079034
Application date： Jul. 09, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 金属人工格子膜の特性を生かした構成により、室温・微小動作磁界で大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子を得る。【構成】 厚さ5〜100Åの第1の磁性薄膜層1aと厚さ5〜100Åの金属非磁性薄膜層2と厚さ5〜100Åの第2の磁性薄膜層1bと厚さ10〜100Åの反強磁性層3を順次積層した構造を一つの構成要素として、この構成要素間の磁気的結合を弱めるべく設けられた金属非磁性層4を介してこれら構成単位を複数回、望ましくは3回以上積層して成る磁気抵抗効果素子。

Claim (excerpt)：

厚さ5〜100Åの第1の磁性薄膜層と厚さ5〜100Åの金属非磁性薄膜層と厚さ5〜100Åの第2の磁性薄膜層と厚さ10〜100Åの反強磁性層とを順次積層した構造を一つの構成要素として、この構成要素間の磁気的結合を弱めるべく設けられた金属非磁性層を介して複数個積層して成ることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39