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J-GLOBAL ID：200903058366683961

AlGaAs系半導体レーザ素子

Inventor： 石田 真也 ,  渡辺 昌規
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997141439
Publication number (International publication number)：1998335735
Application date： May. 30, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】 p型クラッド層のn反転を防ぎ、動作電流の少ない半導体レーザ素子を得る。【解決手段】 n型基板上に、少なくとも、Siドープn型クラッド層、活性層、第1のZnドープp型クラッド層、及び電流ブロック層をMOCVD法により成長させ、前記電流ブロック層にストライプ状の溝を形成した後、第2のp型クラッド層を再成長させた半導体レーザ素子であって、前記電流ブロック層はSeドープn型第1電流ブロック層と、Siドープn型第2電流ブロック層とが順に形成されてなることによる。

Claim (excerpt)：

n型基板上に、少なくとも、Siドープn型クラッド層、活性層、第1のZnドープp型クラッド層、及び電流ブロック層をMOCVD法により成長させ、前記電流ブロック層にストライプ状の溝を形成した後、第2のp型クラッド層を再成長させた半導体レーザ素子であって、前記電流ブロック層はSeドープn型第1電流ブロック層と、Siドープn型第2電流ブロック層とが順に形成されてなることを特徴とするAlGaAs系半導体レーザ素子。