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J-GLOBAL ID:200903058367959642
薄膜形成装置、薄膜形成方法及び薄膜形成体
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (3):
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002300092
Publication number (International publication number):2004130278
Application date: Oct. 15, 2002
Publication date: Apr. 30, 2004
Summary:
【課題】塗布部により基板の表面に塗布液を薄く塗布して薄膜を形成する際に、薄膜の両側部での盛上りを解消し、基板の表面に均一な厚さのフラットな薄膜を形成できる薄膜形成装置、薄膜形成方法及び薄膜形成体を提供すること。【解決手段】塗布部20はスリット21から塗布液24を吐出して基板10の下面に塗布する。塗布部20の両側部の上面aの高さは、中央部の上面bの高さよりもやや(例えば20μm程度)低くなっている。したがって塗布部20の上面を基板10の下面に近接させた塗布液24の塗布状態において、基板10の下面との間隔は、中央部との間隔T2よりも両側部の間隔T1の方がやや大きくなっている。これにより、両側部に盛上り部を生じることはなく、基板10の表面に均一な厚さでフラットに塗布液24を塗布して薄膜を形成することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
塗布液の吐出部を基板の表面に沿って相対的に移動させながら基板の表面に塗布液を塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、移動方向に直交する方向における両側部の塗布液の塗布量を抑制する塗布量抑制手段を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (12):
4D075AC02
, 4D075AC06
, 4D075AC09
, 4D075DA06
, 4D075DB13
, 4D075DC21
, 4D075EA05
, 4D075EC07
, 4F041AA05
, 4F041AB01
, 4F041BA12
, 4F041BA13
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