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J-GLOBAL ID：200903058374215527

滑らかな表面を有するようにポリシリコンをエッチングする方法

Inventor： ジツケ トレヴァー ,  シャシャンク デスムク ,  ジェフ チン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000261879
Publication number (International publication number)：2001160551
Application date： Jul. 27, 2000
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 エッチバックされたポリシリコン表面を滑らかにする。【解決手段】 ポリシリコンのエッチバック中に、制御された量の酸素(O2)がプラズマ発生供給ガスに添加され、エッチバックされたポリシリコン表面のピットが減少する。プラズマエッチング剤は、(i)少なくとも1つのフッ素含有ガスと、(ii)酸素からなるプラズマ源ガスから、発生する。本発明は、ポリシリコンをプラズマエッチング剤に晒す多くの装置で実行することが出来る。減結合プラズマ源エッチングシステム、磁気強化プラズマエッチングシステム等である。本発明は、メモリーと、メモリーと通信し命令を実行するプロセッサーと、プロセッサーからの命令に従って基板をエッチング剤に晒すエッチングチャンバと、プロセッサーとエッチングチャンバの間で通信を行うポートとを有する装置で実行するのが好ましい。

Claim (excerpt)：

ポリシリコンをエッチングする方法であって、(i) 少なくとも1つのフッ素含有ガスと、(ii) 酸素と、を含むプラズマ源ガスから生成されるプラズマエッチング剤を使用して、ポリシリコンをエッチバックし、エッチバック後に残るポリシリコン層の部分は、エッチバック中にプラズマエッチング剤に直接晒されることを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 21/302 L ,  H01L 27/10 625 Z