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J-GLOBAL ID：200903058388298190

半導体発光素子

Inventor： 田中 俊明 ,  川中 敏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993056723
Publication number (International publication number)：1994268327
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、高出力が得られる半導体レーザ素子を提供することにある。【構成】 半導体レーザ素子をバー状に劈開した後に、硫黄が過飽和状態である(NH4)2Sx液にバー状試料を浸漬する。その後、スパッタコーティングにより、前面に対して熱伝導率が大きくかつ該引張歪多重量子井戸活性層よりも熱膨張係数が約半分以下と小さいAlN又はSiN或いはSiC保護膜を施す。ここで、前面保護膜の膜厚dは、レーザ発振波長をλとし、該端面保護材料の屈折率をnとしたとき、d=λ/4nとする。後面保護膜は、膜厚λ/4nのAl2O3保護膜と膜厚λ/4nのAlN又はSiN或いはSiC保護膜の組合せにより形成する。【効果】 本素子の最大光出力は約120mWであり、端面保護膜のない素子の約30mWに比べて4倍以上の増大が見られた。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に作製された発光領域又は発光活性層を有する半導体発光素子において、自然放出光或いはレーザ光を出射する面に相当する半導体表面層に対して、圧縮又は引張応力を生じさせかつ該自然放出光或いはレーザ光を光損失なく透過させる、熱伝導率のより大きい出射面保護材料を形成することを特徴とする半導体発光素子。