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J-GLOBAL ID：200903058388419400

高融点金属のエッチング方法

Inventor： 塚田 三郎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993106327
Publication number (International publication number)：1994318573
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 密着層と高融点金属層との積層膜を1ステップで異方性加工できるプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 W膜14とTiN膜13とを、Cl2+HBrの混合ガスでプラズマエッチングする。その条件は、Cl2/HBr=75/25sccM,マイクロ波出力300W,RF出力10W,ステージ温度70°C,圧力0.4Paとした。このエッチングで、W膜14のエッチングレートが250nm/分,TiN膜13が150nm/分であった。また、TiN膜13:シリコン酸化膜12の選択比は50:1が得られた。このように、W膜とTiN膜とが1ステップで異方性加工することができた。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に、密着層,高融点金属層が順次積層された構造に対して、該高融点金属層及び該密着層をプラズマエッチングする高融点金属のエッチング方法において、前記プラズマエッチングに用いるエッチングガスに複数種の混合ガスを用いることを特徴とする高融点金属のエッチング方法。