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J-GLOBAL ID：200903058402768847
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998109734
Publication number (International publication number)：1999307759
Application date： Apr. 20, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：
【要約】【課題】 本発明は側壁絶縁膜を用いたMOSFETにおけるホットキャリア耐性を向上させ、長期間に渡ってON電流の変化がなく信頼性の高い半導体装置を提供すること、およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板1上にゲート絶縁膜2と、ゲート電極3と、ソース・ドレイン領域7と、ゲート電極の側壁に形成された側壁絶縁膜とを有する半導体装置において、前記側壁絶縁膜が、ゲート電極の側壁および半導体基板表面に接するTEOS NSG膜5と、このTEOS NSG膜の上に形成されたシリコン窒化膜6の2層構造からなることを特徴とする半導体装置。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース・ドレイン領域と、ゲート電極の側壁に形成された側壁絶縁膜とを有する半導体装置において、前記側壁絶縁膜が、ゲート電極の側壁および半導体基板表面に接するTEOSNSG膜と、このTEOS NSG膜の上に形成されたシリコン窒化膜の2層構造からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
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半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-052412
Applicant：川崎製鉄株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-264951
Applicant：三洋電機株式会社
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特開昭58-197879
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