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J-GLOBAL ID：200903058412353971
半導体デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994198933
Publication number (International publication number)：1995078890
Application date： Aug. 02, 1994
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 金属酸化物誘電層14を有するコンデンサを、下の回路素子11に電気接続された上部電極層15とともに形成する。【構成】 このコンデンサは、DRAMおよびNVRAMセルの蓄積コンデンサを形成する際に利用できる。トランジスタのソース/ドレイン領域など下の回路素子を形成した後、金属酸化物コンデンサが回路素子の上に形成される。開口部は、コンデンサを介して形成され、回路素子11まで貫通する。絶縁スペーサ51が形成され、回路素子11を金属酸化物コンデンサの上部電極層15に電気接続する導電部材61が形成される。DRAMおよびNVRAMセルを含むデバイスおよびこれらを形成する方法が開示される。
Claim (excerpt)：
回路素子(11,103,1525,1526);前記回路素子(11,112,1525,1526)の上にあるコンデンサであって、電極層(13,106,1541)と、前記電極層(13,106,1541)の上にある金属酸化物誘電層(14,115,1542)とを含むコンデンサ;および前記誘電層の上にあり、かつ前記回路素子に電気接続され、かつ前記コンデンサの前記電極層および誘電層を介して延在するように構成された導電部材(61,117,1546);によって構成されることを特徴とする半導体デバイス。
IPC (8)：
H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 325 C
, H01L 27/04 C
, H01L 29/78 371
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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