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J-GLOBAL ID：200903058416690395
Bi系強誘電体薄膜形成用組成物並びにBi系強誘電体薄膜及びその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995173438
Publication number (International publication number)：1997025124
Application date： Jul. 10, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 成膜前の高温プロセスを必要とせずに、残留分極値が大きく、膜疲労のない、良好な電気特性を有するBi系強誘電体薄膜を形成する。【解決手段】 金属組成比が{Sr<SB>a</SB> (Ba<SB>b</SB> ,Pb<SB>c</SB> )}<SB>x</SB> Bi<SB>Y</SB> (Ta及び/又はNb)<SB>z</SB> (ただし、0.4≦X<1.0,1.5≦Y≦3.5,Z=2,0.7X≦a<X,0<b+c≦0.3X)のBi系強誘電体薄膜形成用組成物。この組成物を基板上に塗布し、乾燥及び仮焼成を目的の膜厚になるまで複数回繰り返した後、焼成して結晶化させる。【効果】 0.4≦X<1とすることで、残留分極が大きく、膜疲労の少ない強誘電体膜が提供される。SrのBa置換で抗電界を小さくできる。SrのPb置換で残留分極を大きくできる。TaのNb置換で残留分極を多少大きくできる。多数回の高温プロセスを必要とすることなく、従って基板に熱的な影響を及ぼすことなく強誘電性で残留分極が大きく膜疲労の少ない強誘電体薄膜を製造できる。
Claim (excerpt)：
溶液中の金属組成比(モル比)がA:B:C=X:Y:Zで表され(ただし、AはSrとBa及び/又はPb,BはBi,CはTa及び/又はNbを示す。)、0.4≦X<1.0,1.5≦Y≦3.5,Z=2であり、Sr:Ba:Pb=a:b:cで表したときに、0.7X≦a<X,0<b+c≦0.3Xとなるように有機溶媒中に金属化合物を混合してなるBi系強誘電体薄膜形成用組成物。
IPC (6)：
C01G 29/00
, H01B 3/00
, H01B 3/12 318
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24
C01G 29/00
, H01B 3/00 F
, H01B 3/12 318
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565 D
, H01L 39/24 B
