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J-GLOBAL ID：200903058419781030

エッチングマスク及びその製造方法

Inventor： 辻村 歩 ,  大川 和宏 ,  吉井 重雄 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993308960
Publication number (International publication number)：1995161681
Application date： Dec. 09, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体からなる基板表面に形成されたエッチングマスクをSiOX (X≦2)を主成分とする被膜で形成することにより、耐エッチング性、および基板に対する密着性の良好なエッチングマスクとする。【構成】 GaAs基板上にZnSe薄膜を成長させたウエハに、組成がSi(OC2 H5 )4 :25g、C2 H5 OH:40g、H2 O:30gであるシリコンアルコキシド溶液をスピンコートし、80°Cで5分間乾燥させ、引き続き200°Cで30分間熱処理し、膜厚210nmのSiOX 膜を形成した。フォトリソグラフィとバッファフッ酸エッチングにより、パターン形成した。これにより、簡便なプロセスで形成されたマスクでありながら優れた耐エッチング性と密着性を示す。とくにII-VI 族化合物半導体基板にマスク形成時の熱的損傷を与えることが少ない。

Claim (excerpt)：

化合物半導体からなる基板表面に形成されたエッチングマスクであって、前記エッチングマスクは、SiOX (X≦2)を主成分とする被膜であることを特徴とする化合物半導体のエッチングマスク。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  C01B 33/113 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/302 J