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J-GLOBAL ID：200903058421371648

薄膜トランジスタ、アレイ基板、液晶表示装置、有機EL表示装置およびその製造方法

Inventor： 諸沢 成浩
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000334209
Publication number (International publication number)：2002141510
Application date： Nov. 01, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】 レーザー結晶化させた多結晶半導体による薄膜トランジスタにおいて、結晶化処理前に半導体表面に存在する酸化膜の膜厚のばらつきにより電気特性がばらつくという課題がある。【解決手段】 多結晶シリコン膜の平均粗さを5nm以上10nm以下に制御することで十分な駆動電流を持つトランジスタを安定して得ることが可能となる。また、多結晶シリコン膜の平均粗さはレーザーアニール前の非晶質シリコン表面のシリコン酸化膜厚を1nm以上5nm以下にすることで制御することが可能である。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおける、チャネル部の多結晶半導体の平均粗さが5nm以上10nm以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/20

FI (8)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (59)：

2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092KA04 ,  2H092KA06 ,  2H092KA10 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA41 ,  2H092NA24 ,  5C094AA02 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5F052AA02 ,  5F052CA04 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA01 ,  5F052EA15 ,  5F052JA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HM15 ,  5F110PP03 ,  5F110PP31 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11