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J-GLOBAL ID：200903058421811133

半導体装置

Inventor： 有本 護
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991270048
Publication number (International publication number)：1993082785
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 チャネル幅を増してソース・ドレイン間の伝達コンダクタンスを大にする。【構成】 チャネル幅方向の断面形状がほぼ逆U字形に形成されたポリシリコン10からなるゲート電極に電圧が印加されると、絶縁膜9を介した基板1のw〜x〜y〜zにわたる界面近傍にチャネルが形成される。

Claim (excerpt)：

絶縁膜を介して基板に設けられたゲート電極の直下にチャネルが形成されている半導体装置において、チャネル幅方向におけるその両端部が基板方向に突出すべく形成されたゲート電極を備え、該ゲート電極の内壁に対応する基板界面近傍にチャネルが形成されるべくなしたことを特徴とする半導体装置。