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J-GLOBAL ID：200903058425424207
半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井出 直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991183667
Publication number (International publication number)：1993100946
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 1タイムスロットに1度のクロックタイミングで、任意のメモリアドレスにデータを書き込むのと同時に複数のデータを読み出すことを可能とする。【構成】 N個のMポートRAM8〜11の第1から第(M-1)ポートアドレス端子ならびにデータ出力端子OUTにそれぞれ独立した読出しアドレス端子2〜5ならびにデータ出力端子12〜15を接続し、第Mポートアドレス端子およびデータ入力端子INに共通の書込みアドレス端子6およびデータ入力端子1を接続した構造とする。【効果】 1タイムスロットに1度のタイミングで、特定のメモリアドレスにデータを書き込むのと同時にN×(M-1)個の異なるデータを同時に読み出すことができる。
Claim (excerpt)：
クロック信号に同期して動作するN個(Nは2以上の正の整数)のMポートRAM(Mは2以上の正の整数)と、各MポートRAMのデータ入力端子共通に書込みデータを入力するデータ入力端子と、各MポートRAMの第一から第(M-1)ポートアドレス端子にそれぞれ独立に読出しアドレスを入力するN×(M-1)個の読出しアドレス端子と、各ポートRAMの第Mポートアドレス端子に共通に書込みアドレスを入力する書込みアドレス端子と、各MポートRAMのデータ出力端子からそれぞれ独立に読出しデータを出力するN×(M-1)個のデータ出力端子とを含むことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2)：
G06F 12/06 520
, G11C 11/401
