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J-GLOBAL ID：200903058428448433

半田バンプ形成方法及びそれによって形成されたバンプを有する半導体装置

Inventor： 菊地 広 ,  咲間 光廣 ,  佐藤 俊彦 ,  林田 哲哉
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993290149
Publication number (International publication number)：1995142491
Application date： Nov. 19, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 特別なプロセスを用いずに、CCB半田バンプの耐湿性を向上させること。【構成】 半導体チップを基板にフリップ・チップ接続するための半田バンプの形成方法であって、前記半導体チップの能動素子面にバンプ用の半田を定着させ、その半田を溶融して基板と接続し、その接続後にその半田の表面を加熱もしくはリフローにより酸化する。

Claim (excerpt)：

半導体チップを基板にフリップ・チップ接続するための半田バンプの形成方法であって、前記半導体チップの能動素子面にバンプ用の半田を定着させ、その半田を溶融して基板と接続し、その接続後にその半田の表面を加熱もしくはリフローにより酸化することからなる半田バンプの形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (3)：

H01L 21/92 F ,  H01L 21/92 C ,  H01L 23/12 F