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J-GLOBAL ID：200903058432171772

多層配線の形成方法

Inventor： 長島 直樹
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991156392
Publication number (International publication number)：1993006938
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多層配線におけるスルーホール内に形成するプラグと導電層の接触面積を増加し、接触抵抗を小さくするようにしたものである。【構成】 ポリシリコン膜11上に、順次、SiO2膜12,ポリシリコン膜(第2の導電層)13,SiO2膜14を積層した後、スルーホールを形成し、次に、ライトエッチング(ウェットエッチング)することにより、ポリシリコン膜13を挟むSiO2膜12,13をエッチングにより後退させ、ポリシリコン膜13の露出面積を大きくした後プラグ(ポリシリコン+タングステン)を形成することで、プラグと導電層(ポリシリコン膜13)との接触面積を大きくし、接触抵抗を小さくする。

Claim (excerpt)：

第1の導電層上に、順次、第1の絶縁層,第2の導電層及び第2の絶縁層を積層し、前記第1の導電層と第2の導電層を接続するためのスルーホールを形成し、該スルーホール内にプラグを形成する多層配線の形成方法において、前記スルーホール内に露出する第1の絶縁層およびまたは第2の絶縁層をエッチングして第2の導電層の積層面の一部を露出させた後、プラグを形成することを特徴とする多層配線の形成方法。