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J-GLOBAL ID：200903058437828672

SiO2絶縁膜の形成方法

Inventor： 伊東 一幸 ,  石川 道夫 ,  中村 久三 ,  谷 典明 ,  橋本 征典
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995255265
Publication number (International publication number)：1997102491
Application date： Oct. 02, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 大電力や大型のガス導入系、真空排気系が不要で通常の周波数の高周波を使用して良好な絶縁特性のSiO2絶縁膜を高い成膜速度で形成する方法を提供する【解決手段】 真空槽1内に、有機シラン系ガスと、酸素、水、亜酸化窒素等の酸化性ガスのうちの少なくとも1種類との混合ガスに対して、更にアルゴン、ヘリウム、キセノンのうちの少なくとも1種類の不活性ガスを加えて導入し、該真空槽内に発生させた放電によるプラズマCVD法により該真空槽内に用意した基板7上にSiO2絶縁膜を形成する。該有機シラン系ガスは、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、シロキサン等の分子中にSi-O結合を有するガスのいずれかであり、該不活性ガスは、該酸化性ガスの流量の20〜300%とする。

Claim (excerpt)：

真空槽内に、有機シラン系ガスと、酸素、水、亜酸化窒素等の酸化性ガスのうちの少なくとも1種類との混合ガスに対して、更にアルゴン、ヘリウム、キセノンのうちの少なくとも1種類の不活性ガスを加えて導入し、該真空槽内に発生させた放電によるプラズマCVD法により該真空槽内に用意した基板上にSiO2絶縁膜を形成することを特徴とするSiO2絶縁膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体パッシベーション用の炭素-ホウリン酸シリカ・ガラス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-231152   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 絶縁体の堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-195027   Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• シリコン酸化膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-331030   Applicant：東亞合成化学工業株式会社
• 酸化ケイ素薄膜の形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-027018   Applicant：株式会社ジーティシー
• 高周波プラズマCVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-187665   Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社