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J-GLOBAL ID：200903058451281724

半導体装置用リ-ドフレ-ムの製造方法

Inventor：
佐藤 隆博

About 佐藤 隆博


Applicant, Patent owner：
株式会社三井ハイテック

About 株式会社三井ハイテック


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997207176
Publication number (International publication number)：1999040722
Application date： Jul. 15, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 樹脂との密着性がすぐれ樹脂膨れや剥れを生ぜず、また半田付け性、ボンディング性、耐食性ともすぐれた半導体装置用リードフレームを製造する。【解決手段】 パッド1の周りにインナーリード2これに連なるアウターリード3を形成し、めっきを行うリードフレームの製造方法において、リードフレーム6に直接又は下地めっきしてPdをめっきし、表層にAuめっき又はAgめっきを行い、その後、前記パッド1を加熱し前記めっきしたPdを表層のAuめっき又はAgめっき内に拡散させAuとPdの混合相、又はAgとPdの混合相を形成する。また、前記パッド1の加熱をパッドのディプレスの際に行うリードフレームの製造方法。
Claim (excerpt)：
パッドの周りにインナーリードと該インナーリードに連なるアウターリードを形成し、めっきを行うリードフレームの製造方法において、前記リードフレームに直接又は下地めっきしてPd又はPd合金をめっきし、表層にAuめっき又はAgめっきを行い、その後、前記パッドを加熱し前記めっきしたPd又はPd合金を表層のAuめっき又はAgめっき内に拡散させAuとPdの混合相、又はAgとPdの混合相を形成することを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方法。
IPC (3)：
H01L 23/50 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/60 301
FI (3)：
H01L 23/50 D ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/60 301 M
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 特開平4-115558
  • ICパッケージ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-163271   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
  • 半導体チップ実装用リードフレーム
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-294564   Applicant：古河電気工業株式会社

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