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J-GLOBAL ID：200903058459511494

Mgドープ低異方性高温超伝導体とその製造方法

Inventor： 伊原 英雄 ,  エス・ケイ・アガワル
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998122631
Publication number (International publication number)：1999278837
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】超伝導異方性を低くしたことを特徴とするMgドープ低異方性高温超伝導体およびその製造方法を提供する。【解決手段】電荷供給層と超伝導層からなる2次元的な層状構造をもち、電荷供給層を構成する原子の一部または全部をCu,Oの原子で構成し電荷供給層を金属化若しくは超伝導化すると共に、CunCan-1O2n-2超伝導層を構成するCaの一部をMgで置換し、CuO2層間の超伝導結合を大きくし、さらに超伝導層の厚さ(厚さ方向のコヒーレンス長)を大きくする。

Claim (excerpt)：

電荷供給層と超伝導層からなる2次元的な層状構造をもち、電荷供給層を構成する原子の一部または全部をCu,Oの原子で構成し電荷供給層を金属化若しくは超伝導化すると共に、CunCan-1O2n-2超伝導層を構成するCaの一部をMgで置換し、CuO2層間の超伝導結合を大きくし、さらに超伝導層の厚さ(厚さ方向のコヒーレンス長)を大きくして、不確定性原理に基づき、超伝導異方性を低くしたことを特徴とするMgドープ低異方性高温超伝導体。

IPC (5)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (5)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 L ,  H01L 39/22 ZAA B ,  H01L 39/24 ZAA B