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J-GLOBAL ID：200903058462838682

複合ダイオード

Inventor： 奥村 三郎 ,  土江 康夫 ,  清水 一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社三社電機製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993248642
Publication number (International publication number)：1995086621
Application date： Sep. 09, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 PNダイオードの長所の高逆耐圧特性と、ショットキダイオードの長所の低順電圧降下特性を兼ね添えたPNダイオードとショットキダイオードとの複合ダイオードを提供する。【構成】 N形シリコン領域2とその表面を残して、上記N形シリコン領域2に囲まれ、半導体基板3表面に上記N形シリコン領域2と交互に配置されるP+形シリコン領域4と、このP+形シリコン領域4と交互に配置されるN+形シリコン領域2の表面に3価の金属を除くショットキバリア金属を形成した金属層7と、この金属層7とP+形シリコン領域にアルミニウムを形成された電極とにより構成されている。

Claim (excerpt)：

ショットキ接合が形成されている第1の半導体領域と、PN接合が形成されている第2の半導体領域とが半導体基板表面に上記第1の半導体領域と交互に配置され、かつ、上記第2の半導体領域と交互に配置される上記第1の半導体領域の表面に3価の金属を除くショットキバリア金属により形成されている金属層と、上記金属層と上記第2の半導体領域にアルミニウムにより形成されている電極とを有する複合ダイオード。

IPC (4)：

H01L 29/861 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/93

FI (3)：

H01L 29/91 K ,  H01L 27/04 U ,  H01L 29/91 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公昭59-035183
  
• 特開昭62-036860
  
• 特開昭58-188158