フォトリトグラフィー処理用マスクブランクの製造方法及びマスクブランク

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：浜本忠 , 佐藤嘉明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005224943
Publication number (International publication number)：2006049910
Application date： Aug. 03, 2005
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：

【課題】製造中及びその後の使用において摩損も粒子生成もなく確実に接地可能な、EUVリトグラフィー用マスクブランクを提供する。【解決手段】前面4及び背面3を有する基板2を供する工程と、基板背面上へ導電性層5を蒸着する工程と、基板前面上へ少なくとも第一層6及び第二層9から成るコーティングを蒸着する工程と、前面4上の少なくとも1つの所定の位置に取扱い部分が形成され、取り扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いてマスクブランク1を取り扱えるように設計され、第一層6は、マスクブランク1がその前面から取り扱われる時に、機械的クランプ手段あるいは取扱い装置によって第一層6が圧迫されるように、取扱い部分のそれぞれにおいて露出される構成とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

前面(4)及び背面(3)を有する基板(2)を供する工程と、前記基板背面上へ導電性層(5)を蒸着する工程と、前記基板前面上へ少なくとも第一層(6)及び第二層(9)から成るコーティングを蒸着する工程と、前記コーティング(6,9)をフォトリトグラフィー処理のため構造化する工程から構成される、フォトリトグラフィー処理、特にEUVリトグラフィー処理において用いるマスクブランク(1)の製造方法であって、前記前面(4)上の少なくとも1つの所定の位置に取扱い部分(22;22a-22c)が形成され、前記取扱い部分にはフォトリトグラフィー処理のための構造化が為されておらず、また前記取り扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いてマスクブランク(1)を取り扱えるように設計され、及び前記第一層(6)は、前記マスクブランク(1)がその前面から取り扱われる時に、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が前記第一層(6)に当接されるように前記取扱い部分(22;22a-22c)のそれぞれにおいて露出されることを特徴とする前記製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 1/14 , G03F 1/16

FI (3)：

H01L21/30 531M , G03F1/14 G , G03F1/16 A

F-Term (9)：

2H095BA10 , 2H095BC11 , 2H095BC16 , 5F046GA12 , 5F046GD01 , 5F046GD03 , 5F046GD05 , 5F046GD10 , 5F046GD12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平4-040456
特開平4-040456
特開昭63-070524

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