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J-GLOBAL ID：200903058465936685

結晶欠陥評価方法

Inventor： 杉原 康平
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997346054
Publication number (International publication number)：1999173988
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体の基板表面に導入された結晶欠陥の種類と密度と深さ方向の分布とを同時に測定可能にする。【解決手段】 結晶欠陥が導入された半導体11にレーザービーム13を照射し、半導体11から発せられるルミネッセンス光17をエネルギーまたは波長別に解析し結晶欠陥に起因する発光ピークを得る。

Claim (excerpt)：

レーザービームを結晶欠陥が導入された半導体に照射し、前記半導体から発せられるルミネッセンス光をエネルギーまたは波長別に解析し、前記ルミネッセンス光のエネルギー位置とピーク強度とピークの半値幅が0.1eVより大きいか小さいかとを判別することを特徴とする結晶欠陥評価方法。

IPC (3)：

G01N 21/64 ,  G01N 23/20 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01N 21/64 Z ,  G01N 23/20 ,  H01L 21/66 L