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J-GLOBAL ID：200903058468415864

薄膜トランジスタ回路および画像表示装置

Inventor： 山本 伸一 ,  山本 睦 ,  西谷 輝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000087997
Publication number (International publication number)：2001274408
Application date： Mar. 28, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】 レーザアニールポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタは、固相成長ポリシリコン膜を用いた薄膜トランジスタに比べて電気的特性のバラツキが大きい。【解決手段】 一画素毎に電圧駆動される薄膜表示素子を有する画像表示装置において、この薄膜表示素子に駆動電圧を印加する駆動用TFTの活性層を形成するとともに、この活性層で構成されるゲートのチャネル長の寸法と、それぞれ活性層を構成するポリシリコンの結晶粒領域の比を4-40以内にする。

Claim (excerpt)：

活性層で構成されるゲートのチャネル長の寸法と、前記活性層を構成するポリシリコンの結晶粒領域の平均径との比が、4以上40以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ回路。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/20

FI (6)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (51)：

2H092JA26 ,  2H092JA31 ,  2H092JA32 ,  2H092JA38 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092MA07 ,  2H092MA27 ,  2H092NA21 ,  2H092NA29 ,  2H092PA06 ,  5C094AA03 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094CA25 ,  5C094EB05 ,  5C094GB10 ,  5C094JA08 ,  5F052AA11 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN25 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13