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J-GLOBAL ID：200903058488792362

分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 奥田 肇
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992031195
Publication number (International publication number)：1993235463
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 安定した単一縦モード発振を行うことができる上に、高温発振が可能でかつ、特性が均一な半導体レーザ装置とその製造方法を提供する点。【構成】 光導波路層をInGaAlP,クラッドをInGaAlP で構成することにより、選択エッチングを可能とすることにより、リッジを再現性良く形成できるようにして、単一縦モードのレーザ発振を安定して行うことができると共に、特性が均一な半導体レーザ装置と、これを高い歩留まりで製造する方法を提供する。

Claim (excerpt)：

(100)面から[011]方向に5 °以上傾斜した第一導電型基板と,この第一導電型基板に重ねて成層する第一導電型クラッド層、第一または第二導電型活性層、第二導電型第一クラッド層及び第二導電型光導波路と,この第二導電型光導波路上の[011]方向に形成するストライプ状リッジと,このストライプ状リッジに設ける第二導電型第二クラッド層と,この第二導電型第二クラッド層と前記第二導電型光導波路の界面に形成する回折格子と,前記ストライプ状リッジを除いて露出する前記第二導電型光導波路に前記第二導電型第二クラッド層に隣接して成層する第一導電型電流阻止層と,この第一導電型電流阻止層及び第二導電型第二クラッド層に積層する第二導電型コンタクト層とを具備することを特徴とする分布帰還型半導体レーザ装置