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J-GLOBAL ID：200903058490510234
磁気抵抗効果素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994214961
Publication number (International publication number)：1996078758
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】【構成】 基板1上に非磁性膜2と強磁性膜3とが順に積層された人工格子膜が形成されてなる磁気抵抗効果素子において、基板1は、熱伝導率が2W/mK以上の材料よりなる。また、非磁性膜2は、Cu、Ag、Crより選ばれる少なくとも1種の元素を主成分とする。あるいは、基板上にスピンバルブ膜が形成されてなる磁気抵抗効果素子において、基板が熱伝導率が2W/mK以上の材料よりなる。【効果】 駆動時の発熱による磁気抵抗効果の劣化を防止することができる。このため、磁気ヘッドとして使用すると、さらなる高密度記録化と、厳しい仕様条件にも対応できる高い性能を有するものとなる。
Claim (excerpt)：
強磁性膜と非磁性膜とからなる多層磁気抵抗効果膜が基板上に形成されてなる磁気抵抗効果素子において、前記基板の熱伝導率が2W/mK以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 10/26
Cited by examiner (7)
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