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J-GLOBAL ID：200903058492414933

薄膜半導体装置

Inventor： 猪野 益充 ,  浦園 丈展
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994274600
Publication number (International publication number)：1996116065
Application date： Oct. 12, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタのゲート電極構造を改善し電気特性並びに信頼性を向上させる。【構成】 薄膜半導体装置は透明絶縁基板1を用いて構成されており、半導体薄膜2を活性層とする薄膜トランジスタ3が集積形成されている。薄膜トランジスタ3のゲート電極5は下側金属層6と上側金属層7とからなる積層構造を有している。下側金属層6はチタン、ニッケル、モリブデン、タングステン又はクロムを主体とする。一方、上側金属層7はアルミニウムを主体とする。

Claim (excerpt)：

半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタが絶縁基板上に集積形成された薄膜半導体装置であって、該薄膜トランジスタのゲート電極は、チタン、ニッケル、モリブデン、タングステン又はクロムを主体とする下側金属層と、アルミニウムを主体とする上側金属層とを含む積層構造を有する事を特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (2)：

H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 617 K