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J-GLOBAL ID：200903058498700849

酸化物透明導電膜の成膜方法

Inventor： 辻野 二朗
Applicant, Patent owner： 北海道電力株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002355781
Publication number (International publication number)：2004190052
Application date： Dec. 06, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】直流スパッタ法を用いて、従来よりも低い電気抵抗率を有する酸化物透明導電膜の低温成膜を行う。【解決手段】酸化物透明導電膜を、金属ターゲット22と基板24が搭載された非加熱基板ホルダー26とを具えるチャンバ12内で、水素ラジカルを含有する雰囲気で直流スパッタ法を用いて結晶成長させる。これにより、水素ラジカルが酸化物透明導電膜結晶の酸素欠損の生成を促進し、その結果、金属原子とドナー原子との置換が促進されてキャリア濃度が増大される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

酸化物透明導電膜を直流スパッタ法によって成膜する方法であって、 金属ターゲットと非加熱基板ホルダーとを具えるチャンバ内で、前記成膜を、前記非加熱基板ホルダーに搭載された基板に、水素ラジカルを含有している雰囲気中で行うことを特徴とする酸化物透明導電膜の成膜方法。

IPC (3)：

C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285

FI (4)：

C23C14/08 C ,  C23C14/34 M ,  H01L21/285 S ,  H01L21/285 301

F-Term (11)：

4K029AA09 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC34 ,  4K029FA09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD39 ,  4M104DD42 ,  4M104HH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平2-163363